在使用双向CR时，应掌握以下规则：

1. 为了传导晶闸管（或三端双向可控硅开关），必须有一个栅极电流？ IGT直到负载电流达到？ 伊尔。可控硅通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。整流桥将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路， 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。晶闸管一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。 必须满足这一条件，并考虑到可能遇到的嘴的低温。

图2。若要断开(开关)晶闸管(或双向晶闸管) ，负载电流必须小，并保持足够长的时间返回到截止状态。这些条件必须在可能的最高操作温度下满足。

3. 设计三端双向可控硅开关时，尽可能避免使用3+象限（WT2-，+）。

　　4. 为减少对于杂波进行吸收，门极连线工作长度可以降至zui低。返回线直接连至MT1（或阴极）。若 用硬线，用螺旋以及双线或屏蔽线。门极和MT1间加电阻1k倩蚋 8咂蹬月返缛莺兔偶浯拥缱琛A硪唤饩霭旆ǎ∮肏系列低灵敏度分析双向控制可控硅。

5.如果dVD/dt或dVCOM/dt可能导致问题，请在MT1和MT2之间添加RC缓冲电路。如果高dICOM/dt可能导致问题，增加几个mH电感和负载系列。另一种解决方案，使用高通信双向硅。

6. 如果在严重和异常的功率瞬态期间可能超过晶闸管的VDRM，则应采取以下措施之一：负载上串联电感为十分之几的不饱和电感器，以限制DIT/dt；在电源两端使用MOV，并在电源侧增加滤波电路。

杀。选择合适的栅极触发电路，避免三象限工况，可以大大提高双向晶闸管的容量。

8.如果可能超过双向可控硅的dIT/dt，负载嘴可以连接一些温度系数为负的铁芯电感或热敏电阻。另一种解决方案是在电阻性负载上使用零电压传导。

　　9. 器件进行固定到散热器时，避免让双向可控硅受到不同应力。固定，然后通过焊接过程中引线。不要把 铆钉芯轴放在一个器件数据接口片一侧。

10对于长期可靠的工作，Rthj-a足够低，保持Tj不高于Tjmax，其值对应于可能的嘴环境温度。