相信我们大家可以对于可控硅并不陌生了，现代在电气工程行业的不断创新发展，可控硅的使用管理范围问题越来越广，但是你对可控硅的了解有多少呢，它的主要技术参数有哪些你知道吗？下面为大家进行讲解。防反二极管继电器100%负载电流老化试验，通过欧共体CE认证，国际ISO9000认证，国内3C认证。降压硅链继电器输入信号与TTL和COMS数字逻辑电路兼容。可控硅通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

可控硅的主要参数有：

（1）额定通态平均电流IT在一定条件下，可以连续通过阳极-阴极之间的50hz正弦半波电流的平均值。

(2)当没有触发信号施加到开路栅极并且阳极正向电压没有超过导通电压时，正向阻断峰值电压VPF可以重复施加在晶闸管两端的正向峰值电压。 晶闸管承受的正向电压峰值不应超过本手册中给出的参数值。

(3)反向过冲峰值电压 vpr 当晶闸管处于反向关断状态时，反向峰值电压可以反复施加到晶闸管的两端。使用时，不要超过手册中给出的参数值。

(4)栅极触发电流Ig1，触发电压VGT。在规定的环境温度下，当在阳极和阴极之间施加一定的电压时，晶闸管从关断状态变为导通状态需要较小的栅极电流和电压。

(5) 维持工作电流IH在规定进行温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的较小以及阳极产生正向影响电流。

近年来，许多新型可控硅器相继出版，如适合高频应用的快速可控硅，可用正负触发信号双向控制，可用正触发信号引导，可控硅器可用负触发信号使可控硅器关闭等。