可控硅的阳极工作电压与阳极电流的关系，称为可控硅的伏安特性。晶闸管一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。整流桥将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路， 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。可控硅通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。可控硅的阳极与阴极间加上一个正向影响电压时，在可控硅进行控制极开路(Ig=0)情况下，开始执行元件设计中有一些很小的电流(称为中国正向漏电流)流过，可控硅阳极与阴极间表现出具有很大的电阻，处于发展截止目前状态(称为企业正向阻断这种状态)，简称断态。

当阳极电压上升到一定值时，晶闸管突然从阻断状态变为通断状态，即通断状态。阳极这一点的电压称为关态不可重复峰值电压(udsm) ，或称为正向转换电压(ubo)。

导通后，大电流流过元件，其值主要由限流电阻（>使用中的负载）决定。 当阳极供电电压减小或负载电阻增大时，阳极电流减小，并且当阳极电流小于维持电流IH时，晶闸管从导通状态变为截止状态。 从图中可以看出，当正向电流Ig流过晶闸管控制电极时，晶闸管的正向转向电压降低，Ig越大，转向电压越小，当Ig足够大时，晶闸管的正向转向电压就越小。 一旦施加正阳极电压，晶闸管就导通。 实际上，当在晶闸管元件阳极和阴极之间施加6V DC电压时，元件被启用

控制极上的下限电流(电压)称为触发电流(电压)。

当晶闸管的阳极和阴极之间施加反向电压时，晶闸管起初处于反向阻断状态，只有很小的反向漏电流流过。当反向电压增加到一定值时，反向漏电流急剧增加。此时对应的电压称为反向非重复峰值电压(URSM)，或反向击穿电压(UBR)。可以看出，可控硅的反向伏安特性与二极管相似。